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J-GLOBAL ID：200903052170106070

プラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置

Inventor： 石丸 靖
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992013674
Publication number (International publication number)：1993206069
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 チャージフリーラジカル型プラズマエッチング法とプラズマエッチング装置に関し、エッチング分布の均一性を向上する。【構成】 マイクロ波あるいは高周波電磁波によってエッチングガスをプラズマ化し、このプラズマを遮蔽板6によって遮断して活性種のみを被エッチングウェハ9に供給するダウンフロー型のプラズマエッチング法において、凹凸のない平面状のウェハステージ8に被エッチングウェハ9を保持し、かつ、被エッチングウェハ9よりも大きい直径をもつ円筒状の排気リング10を被エッチングウェハ9と同心円状に配置し、排気リング10とウェハステージ8の間に形成される排気間隙から全円周にわたって排気し、被エッチングウェハ9の表面付近で活性種の渦を発生させることによってエッチング分布の均一性を向上する。この際、排気間隙の幅を調節して被エッチングウェハ9の面内エッチング分布を調節することができる。

Claim (excerpt)：

マイクロ波あるいは高周波電磁波によってエッチングガスをプラズマ化し、該プラズマを遮蔽板によって遮断して活性種のみを被エッチングウェハに供給するダウンフロー型のプラズマエッチング法において、凹凸のない平面状のウェハステージに被エッチングウェハを保持し、かつ、該被エッチングウェハよりも大きい直径をもつ円筒状の排気リングを該被エッチングウェハと同心円状に配置し、該排気リングとウェハステージの間に形成される排気間隙から全円周にわたって排気することを特徴とするプラズマエッチング法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-197122
  
• 特開昭61-131450
  
• 特開昭58-056339
  
• 特開昭63-141318