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J-GLOBAL ID：200903052179591966

複合半導体組成物とその製造方法

Inventor： 野口 徹
Applicant, Patent owner： 三ツ星ベルト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998062276
Publication number (International publication number)：1999240722
Application date： Feb. 25, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体粉体の粒界に微粒子が固定された構造を持ち、電場や光などで励起された半導体粉体から粒界の微粒子に電子が流れ込むことによって複合半導体の非直線抵抗性を著しく大きくすることができる複合半導体組成物とその製造方法を提供する。【解決手段】 微粒子化した銅もしくは/そして銅酸化物とFe3 O4 、SnO2 、そしてTiO2 から選ばれた少なくとも1種の半導体粉体との焼成体からなる複合半導体組成物あり、上記半導体粉体1モルに対して銅もしくは/そして銅酸化物の微粒子0.01〜1モルが固着している。

Claim (excerpt)：

微粒子化した銅もしくは/そして銅酸化物とFe3 O4 、SnO2 、そしてTiO2 から選ばれた少なくとも1種の半導体粉体との焼成体であり、上記半導体粉体1モルに対して銅もしくは/そして銅酸化物の微粒子0.01〜1モルを固着したことを特徴とする複合半導体組成物。

IPC (10)：

C01G 49/00 ,  B01J 23/72 ,  B01J 23/745 ,  B01J 23/835 ,  B01J 35/02 ,  C01G 19/00 ,  C01G 23/00 ,  C08K 3/08 ,  C08K 3/22 ,  C08L101/00

FI (10)：

C01G 49/00 A ,  B01J 23/72 M ,  B01J 35/02 J ,  C01G 19/00 A ,  C01G 23/00 C ,  C08K 3/08 ,  C08K 3/22 ,  C08L101/00 ,  B01J 23/74 301 M ,  B01J 23/82 M