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J-GLOBAL ID：200903052180017203

ラテラル絶縁ゲート電界効果半導体装置

Inventor： フイリツプ ウオーカー ,  ダビツド ヘンリー パクスマン
Applicant, Patent owner： エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992063736
Publication number (International publication number)：1993082783
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置領域間での高い逆電圧に耐えうるラテラル絶縁ゲート電界効果半導体装置を提供する。【構成】 ゲート絶縁領域(81)を絶縁ゲート構造体(80)に隣接する第3領域(6)の部分(62)の周縁部(6a)と重ね、導電チャネル領域(9)の長さ(L)の方向と直交する方向(D)においてゲート導電領域(82)をゲート絶縁領域(81)から第1領域(2)上の比較的厚肉の絶縁領域(4)上に登って延在させる。ゲート絶縁領域(81)が比較的厚肉の絶縁領域(4)に隣接する隅部(10b)は第1領域(2)上に位置し、第3領域(6)上に位置せず、これにより隅部(10b)における電界強度を減少する。

Claim (excerpt)：

一主表面に隣接する一導電型の第1領域と、この第1領域内に前記の一主表面に隣接して設けた反対導電型の第2及び第3領域とを有する半導体本体と、第2及び第3領域間の導電チャネル領域上にあり、この導電チャネル領域の長さに沿って第2及び第3領域間をゲート制御接続する絶縁ゲート構造体とを具え、この絶縁ゲート構造体がゲート絶縁領域と、このゲート絶縁領域上を延在し且つこのゲート絶縁領域に隣接する比較的厚肉の絶縁領域上に登るゲート導電領域とを有しているラテラル絶縁ゲート電界効果半導体装置において、ゲート絶縁領域が絶縁ゲート構造体に隣接する第3領域の部分の周縁部と重なり、導電チャネル領域の長さ方向に対し直交する方向でゲート導電領域がゲート絶縁領域から第1領域上の比較的厚肉の絶縁領域上に登って延在していることを特徴とするラテラル絶縁ゲート電界効果半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-016572
  
• 特開昭58-056649