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J-GLOBAL ID：200903052190396423
半導体基板のダスト除去装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993227692
Publication number (International publication number)：1995086221
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ポリイミド保護膜が表面に形成された半導体基板上のダストを表面膜を傷つけずに除去するダスト除去装置を提供する。【構成】 静電除去装置1で発生させたイオン化エアーをクリーニングブラシ2の払拭毛の間から吐出させる。これにより、ポリイミド保護膜の帯電は緩和され、ダストの付着力が小さくなるため、払拭毛11で保護膜を傷つけることなく容易にダスト除去できる。
Claim (excerpt)：
ポリイミド保護膜を形成した半導体基板に付着したダストを除去する装置において、イオン化ガスを発生させる静電除去装置と、柔軟なクリーニングブラシとを備え、該静電除去装置で発生した該イオン化ガスを前記クリーニングブラシから吐出させることを特徴とする半導体基板のダスト除去装置。
IPC (2)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
