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J-GLOBAL ID：200903052194289630

アルミニウム段差部被覆の超音波による強化および機器

Inventor： ウォード,マイクル ジー
Applicant, Patent owner： マティリアルズ リサーチ コーポレイション
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995502942
Publication number (International publication number)：1996511656
Application date： Jun. 15, 1994
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】1μおよび1μ未満のバイアに充填すべく半導体基板19上にアルミニウムをスパッタ被着させる方法および機器には、バイアの適切な充填を確保するため、超音波エネルギが利用されている。アルミニウムが基板表面19上にスパッタ被着される際に、半導体がブロック17上に支持されて加熱され、25kHzを超える超音波エネルギを受ける。基板表面に沿った定常波や節点の形成を回避するためにアルミニウムが被着される際、超音波エネルギの周波数は、35〜42kHzまでに変動される。これにより、効率的で高品質なアルミニウムの付与と、半導体基板上のバイアの充填が可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板内のバイアを充填する方法にして、 前記半導体の第一表面上にアルミニウム膜をスパッタ被着し、かつ前記バイアを被覆する段階、および アルミニウムが被着されている前記基板の第二表面へ同時に超音波エネルギを付与する段階を含む方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  C23C 14/34

FI (3)：

H01L 21/90 A ,  C23C 14/34 R ,  C23C 14/34 H