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J-GLOBAL ID：200903052224045579
半導体光デバイス及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993179313
Publication number (International publication number)：1995038204
Application date： Jul. 20, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 再現性よく光の結合定数を設計値に設定された回折格子を有する半導体レーザを得る。【構成】 第1の半導体層4a上に配置された、マストランスポートの起こりにくい半導体層5aと該層と異なる半導体材料からなる層5bを交互に複数層積層してなる超格子構造層を成形して形成された回折格子形成体5と、該回折格子形成体5を埋め込むように気相成長された第2の半導体層4bとを備えた構成とした。
Claim (excerpt)：
第1の半導体層上に配置された、マストランスポートの起こりにくい半導体層と該層と異なる半導体材料からなる層を交互に複数層積層してなる超格子構造層を成形して形成された回折格子形成体と、該回折格子形成体を埋め込むように気相成長された第2の半導体層とを備えたことを特徴とする半導体光デバイス。
IPC (2)：
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