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J-GLOBAL ID：200903052231272777

半導体発光素子

Inventor： 尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994219892
Publication number (International publication number)：1996083956
Application date： Sep. 14, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ダブルヘテロ接合構造の半導体発光素子であって、発光効率が高く、かつ動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。【構成】 n型クラッド層4と活性層5とp型クラッド層6のサンドイッチ構造を少なくとも有し、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記n型クラッド層のバンドギャップエネルギーが前記p型クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さくなるように前記両クラッド層の材料が選定されてなる。

Claim (excerpt)：

n型クラッド層と活性層とp型クラッド層のサンドイッチ構造を少なくとも有し、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記n型クラッド層のバンドギャップエネルギーが前記p型クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さくなるように前記両クラッド層の材料が選定されてなる半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-217986
  
• 特開平4-087378
  
• 特開平4-127595
  
• 特開平4-111375