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J-GLOBAL ID:200903052237217875
高出力電界効果トランジスタ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
煤孫 耕郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993277884
Publication number (International publication number):1995111271
Application date: Oct. 08, 1993
Publication date: Apr. 25, 1995
Summary:
【要約】【目的】 高出力電力を得る為に多数の単位トランジスタを並列に接続した電界効果トランジスタの単位トランジスタ間の信号の回り込みによる発振を抑止する。【構成】 多数の単位トランジスタを有する高出力電界効果トランジスタで、複数本の単位ゲート電極(3)または単位ドレイン電極(5)を櫛形にバスバー電極(2),(8)で接続した単位セル(9)と、同様に構成した隣り合う単位セルの相方の同じ電極どうしのバスバー電極を半導体基板を用いたオーミック抵抗(4a)または薄膜金属抵抗(4b)による抵抗体(4)により接続し単位トランジスタ(3a)及び(3b)間の回り込みによるループの総合利得を減少させて不用な発振を抑止する。
Claim (excerpt):
複数本の単位ゲート電極または単位ドレイン電極を櫛型にバスバー電極で接続した単位セルと、同様に構成した隣り合う単位セルの相方の同じ電極どうしのバスバー電極を抵抗体で電気的に接続したことを特徴とする高出力電界効果トランジスタ。
IPC (2):
H01L 21/338
, H01L 29/812
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平3-248440
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特開平1-181574
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特開昭60-200547
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