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J-GLOBAL ID：200903052240386653

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor： 杉田 康成 ,  松川 望 ,  小田川 明弘 ,  川島 良男 ,  里見 三男 ,  森永 泰規
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002056955
Publication number (International publication number)：2003258335
Application date： Mar. 04, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 大きな磁気抵抗比を示し、バイアス電圧によるTMR比の低下が小さく、高い耐熱性を有するトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 トンネル磁気抵抗効果素子のトンネル絶縁層を形成する工程に於いて、トンネル絶縁層前駆体である導電層を形成する第1の工程と、前記導電層を酸化する第2の工程とを含み、導電層を形成する第1の工程において成膜速度が0.4Å/秒以下であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に、第1の強磁性層、トンネル絶縁層、第2の強磁性層がこの順に積層され、前記第1の強磁性層と第2の強磁性層の磁化方向の相対角度の違いによりトンネル磁気抵抗が異なるトンネル磁気抵抗効果素子において、前記トンネル絶縁層前駆体である導電層を形成する第1の工程と、前記導電層を酸素雰囲気中で酸化させる第2の工程を含み、前記第1の工程において、前記導電層は0.4Å/秒以下の成膜速度でAl、Mg、Si、Taの少なくとも1種から形成されることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (7)：

H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (8)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 P ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

F-Term (20)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BA18 ,  5D034CA02 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR01 ,  5F083PR04 ,  5F083PR22