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J-GLOBAL ID：200903052240409378
不純物低温拡散方法及び不純物低温拡散装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994004528
Publication number (International publication number)：1995211666
Application date： Jan. 20, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体基板への不純物拡散方法において、低温での不純物拡散を可能にする。【構成】 半導体基板の一主面に不純物ドープの膜を被着形成し、ガラスフィルタ板を介して900nm〜1.2μmの波長を含む光を照射し、加熱と共に、該光により、基板温度750°C以下の低温で上記膜中の不純物を半導体基板内へ拡散する。
Claim (excerpt)：
基板上に不純物拡散源を形成し、400nm〜1.5μmの波長の光を照射し、加熱と同時に該光により基板温度750°C以下の温度で上記不純物拡散源の不純物を上記基板内に拡散することを特徴とする不純物低温拡散方法。
IPC (6)：
H01L 21/225
, C30B 29/06 504
, C30B 31/02
, H01L 21/22 501
, H01L 21/26
, C30B 25/02
