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J-GLOBAL ID：200903052248311326
表示素子駆動装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994065559
Publication number (International publication number)：1995249778
Application date： Mar. 08, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、同一半導体層にスイッチング素子とドライバ回路のトランジスタとを形成して、画素部の光誘起電流を低減し、ドライバ回路の動作特性の向上を図る。【構成】 表示素子駆動装置1はスイッチング素子とドライバ回路とを備えたもので、スイッチング素子は多結晶半導体からなる半導体層12の下面に第1絶縁膜21を挟んでボトムゲート電極22を設けたボトムゲート型薄膜トランジスタ2からなり、ドライバ回路の少なくとも一部のトランジスタは半導体層12の上面に第2絶縁膜31を挟んでトップゲート電極32を設けたトップゲート型薄膜トランジスタ3からなる。半導体層12は、レーザ結晶化法によって多結晶化したものが好ましく、第2絶縁膜31は、リモートプラズマCVD法によって成膜したものが好ましい。
Claim (excerpt)：
スイッチング素子とドライバ回路とを備えた表示素子駆動装置において、前記スイッチング素子は多結晶半導体からなる半導体層の下面に第1絶縁膜を介してボトムゲート電極を設けたボトムゲート型薄膜トランジスタからなり、前記ドライバ回路の少なくとも一部のトランジスタは半導体層の上面に第2絶縁膜を介してトップゲート電極を設けたトップゲート型薄膜トランジスタからなることを特徴とする表示素子駆動装置。
IPC (2)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
Cited by examiner (11)
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