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J-GLOBAL ID：200903052255155755

半導体集積回路

Inventor： 奥村 孝一郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992150179
Publication number (International publication number)：1993343546
Application date： Jun. 10, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】ダミー配線による層間絶縁膜の平坦化を用いた半導体集積回路の接続配線とダミー配線の結合容量を低減して集積回路の動作速度の低下を防ぐ。【構成】ダミー配線12を接続配線11に対して1/2ピッチずらして配置することにより、接続配線11とこれに隣接するダミー配線12との間の結合容量を低減することができ、また平坦性も良好な半導体集積回路がえられる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けた絶縁膜の上に少くとも最小配線間隔を有する等間隔で平行に配置した素子間接続配線と、前記素子間接続配線の空き領域に前記素子間接続配線と同一のピッチで平行に配置し層間絶縁膜を平坦化するためのダミー配線とを備えた半導体集積回路において、前記ダミー配線の配列が前記素子間接続配線の配列に対して1/2ピッチだけ位相をずらして配置したことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/31