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J-GLOBAL ID:200903052259102273

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須山 佐一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991090402
Publication number (International publication number):1993152209
Application date: Apr. 22, 1991
Publication date: Jun. 18, 1993
Summary:
【要約】【目的】 従来に較べて良好な処理を効率良く実施することができ、製品性能の向上および生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 上部電極2を電気的絶縁状態に保持しつつ支持する絶縁性部材6のチャンバ1内への露出部を覆う如く、円筒状のカバー11が設けられている。このカバー11は、導電性材料例えばアルミニウム(表面にアルマイト処理を施してある)等から構成されており、接地(アース)されている。
Claim (excerpt):
被処理物を収容するチャンバと、このチャンバ内に設けられプラズマを生成するための少なくとも一対の電極と、前記電極を支持する絶縁性部材とを具備したプラズマ処理装置において、前記絶縁性部材の前記チャンバ内側の露出部分の少なくとも一部を、導電性材料からなるカバーによって覆ったことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2):
H01L 21/205 ,  H01L 21/302
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭60-175413

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