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J-GLOBAL ID：200903052263239917

キャップメルト薄膜の作製方法、及びこの方法を用いたMgB2超伝導薄膜の作製方法

Inventor： 内山 哲治
Applicant, Patent owner： 独立行政法人 科学技術振興機構
Agent (2)： 平山 一幸 ,  海津 保三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003363818
Publication number (International publication number)：2004176174
Application date： Oct. 23, 2003
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】 融点が大きく異なる成分、従って、蒸気圧が大きく異なる成分の化合物からなる薄膜を真空蒸着法で作製し、同一真空内で熱処理して十分な特性の化合物薄膜を得ることができる方法を提供し、また、この方法を用いたMgB2 超伝導薄膜の作製方法を提供する。【解決手段】 高真空中で、基板11上に融点の異なる成分から成る基礎層12を成膜し、基礎層12上に化合物の構成成分のうち融点の高い成分から成るキャップ層13を成膜し、融点の高い成分の融点未満の温度で熱処理して反応させ、化合物薄膜14を得る。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

融点の異なる成分から成る化合物薄膜を作製する方法において、 真空中で、 上記融点の異なる成分から成る基礎層を基板上に成膜し、 この基礎層上に、上記化合物の構成成分のうち融点の高い成分から成るキャップ層を成膜し、 この基板を、上記融点の高い成分の融点未満の温度で熱処理することにより、 上記基礎層を、上記融点の低い成分と上記融点の高い成分の化合物薄膜にすることを特徴とする、キャップメルト薄膜作製方法。

IPC (7)：

C23C14/58 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/28 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24

FI (7)：

C23C14/58 A ,  C23C14/06 C ,  C23C14/24 Z ,  C23C14/28 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565Z ,  H01L39/24 B

F-Term (21)：

4K029AA09 ,  4K029BA53 ,  4K029BC04 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029GA01 ,  4M113AD37 ,  4M113BA04 ,  4M113BA12 ,  4M113BA13 ,  4M113BA14 ,  4M113BA29 ,  4M113CA16 ,  4M113CA42 ,  4M113CA43 ,  5G321AA98 ,  5G321BA07 ,  5G321CA21 ,  5G321DB35 ,  5G321DB37 ,  5G321DB44