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J-GLOBAL ID：200903052267661222
成膜方法及び成膜装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2000000328
Publication number (International publication number)：WO2000044033
Application date： Jan. 24, 2000
Publication date： Jul. 27, 2000
Summary：
【要約】水素系キャリアガスとシランガスなどの反応ガスを加熱されたタングステンなどの触媒体に接触させ、これによって生成した反応種にグロー放電開始電圧以下のDC電圧又はこれにAC電圧又はRF電圧を重畳した電圧を印加し、DC又はAC/DC電界又はRF/DC電界を作用させて運動エネルギーを与え、基板上に多結晶シリコンなどの膜を気相成長させることにより高品質膜を得る。
Claim (excerpt)：
反応ガスを加熱された触媒体に接触させ、この反応ガスの接触倍への接触により生成した反応種にグロー放電開始電圧以下の電界を作用させて運動エネルギーを与え、基体上に所定の膜を気相成長させる成膜方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 A
