Pat
J-GLOBAL ID：200903052296097255
半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991178614
Publication number (International publication number)：1993029567
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体メモリの記憶用キャパシタ容量を大きくする。【構成】 記憶用キャパシタの下部電極の材料として、酸化物導電体または強誘電体を構成する金属元素の合金を用いた。
Claim (excerpt)：
データ書き込みのためのワード線、ビット線およびデータ保存のためのキャパシタを有するトランジスタの記憶用キャパシタであって、誘電体層と前記誘電体層を挟む下部電極および上部電極とから構成され、前記下部電極の材料として酸化物導電体が用いられたことを特徴とする半導体メモリの記憶用キャパシタ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
