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J-GLOBAL ID：200903052299547383

半導体レーザー

Inventor： 玉村 好司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991313591
Publication number (International publication number)：1993129722
Application date： Oct. 31, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 内部ストライプ構造を有する半導体レーザーにおいて、しきい値電流及び動作電流を大幅に低減させるとともに、レーザー構造を形成する層のエピタキシャル成長に要する時間を短くし、成長原料の消費量も少なくする。【構成】 レーザー発振を行わせるために流される電流を制限するための電流狭窄層7をn型GaAs層8とその上に積層されたn型Alx Ga1-x As層9とにより形成し、このn型GaAs層8とn型Alx Ga1-x As層9とのヘテロ界面をAl組成の不均一及び/又は凹凸が存在する粗悪な界面とする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板と、上記化合物半導体基板上に設けられた第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に設けられた活性層と、上記活性層上に設けられた第2導電型の第2のクラッド層と、レーザー発振を行わせるために流される電流の通路を制限するための電流狭窄層とを具備する半導体レーザーにおいて、上記電流狭窄層中に組成不均一面及び/又は凹凸面が設けられていることを特徴とする半導体レーザー。