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J-GLOBAL ID：200903052306045356

プラズマ成膜方法

Inventor： 石塚 修一 ,  川村 剛平 ,  畑 次郎 ,  鈴木 朗
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994056752
Publication number (International publication number)：1995078811
Application date： Mar. 01, 1994
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 不純物の少ない膜質の良い薄膜例えば層間絶縁膜を得ること。また良好な埋め込み特性を得ること。【構成】 処理室1の上方側に、平面状の渦巻型コイルよりなる電極6を配置し、ウエハWをヒータ31により加熱すると共に例えばTEOSを含むガスとO2ガスとを処理室2内に導入して処理室2内の圧力を0.1Torrよりも低い圧力に維持しながら電極3、6間に高周波電力を印加する。高密度プラズマが生成されるため、イオン照射効率が高く従って不純物の引き抜き効果が高く、膜質が良くなる。また前記電極6に高周波電流を流して処理室2内に電磁場を形成し、ウエハ載置台3に高周波バイアスを印加し、例えば処理室2内にArガスを導入してArイオンをウエハに引き込み、スパッタリングの作用を得て良好な埋め込みを実現する。

Claim (excerpt)：

気密構造の処理室内に処理ガスを導入してプラズマ化し、そのプラズマのイオンまたは活性種の反応により被処理体の表面に薄膜を形成するプラズマ成膜方法において、前記被処理体を挟んで互に対向し、少なくとも一方は被処理体に並行な平面状のコイルよりなる一対の電極を用い、処理室内の圧力を0.1Torr以下の圧力に維持すると共に被処理体を加熱し、前記電極間に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化することを特徴とするプラズマ成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 K