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J-GLOBAL ID：200903052322520960

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
川辺 光央

About 川辺 光央

, 
赤羽 浩一

About 赤羽 浩一


Applicant, Patent owner：
筑波大学長

About 筑波大学長


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001397796
Publication number (International publication number)：2003197900
Application date： Dec. 27, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】量子ドット層の積層数の増加に伴う量子ドットの形状劣化や配列の乱れを抑制して、量子ドット層の高密度化を図る。【解決手段】量子ドットレーザの製造方法において、InP(3 1 1)B基板1の表面1aに原子状水素を放射して清浄化する。続けて表面1aに原子状水素を供給しつつ、ガス状のInおよびAsを用いてMBE法を実行し、基板1のPを蒸発させて雰囲気中のAsと置換させ、基板1よりも格子定数が大きい第1層目のInAsxP1-x量子ドット層2aを基板1上にエピタキシャル成長させる。このドット層2a上にIn0.52Ga0.1Al0.38Asバッファ層4を成長させた後、ドット層2a,2bの合計が20層に達するまで、格子定数が基板1よりも大きいInAs量子ドット層2bと格子定数が基板1よりも小さいIn0.47Ga0.11Al0.42As中間層3とを、交互に連続成長させて積層する。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板と、この基板上に、該基板よりも格子定数の大きい化合物半導体材料からなる量子ドット層と該基板よりも格子定数の小さい化合物半導体材料からなる中間層とを交互に積層してなる多層構造部と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/06 601 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01S 5/343
FI (4)：
H01L 29/06 601 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01S 5/343
F-Term (16)：
5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F073AA75 ,  5F073CB02 ,  5F073CB09 ,  5F073EA29 ,  5F103AA04 ,  5F103BB57 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103PP01 ,  5F103PP18 ,  5F103RR06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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