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J-GLOBAL ID：200903052328417869

半導体集積回路内部相互配線の検査装置

Inventor： 花釜 康子 ,  中村 豊一 ,  二川 清
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993313320
Publication number (International publication number)：1995167924
Application date： Dec. 14, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路の内部相互配線の欠陥を短時間で非破壊で検出する。【構成】 半導体集積回路チップ1に電圧供給源9で電流を供給した状態で、半導体集積回路チップ1上に細く絞ったレーザビームを走査しながら照射し、変動電流検出/増幅部で電流変化の大きな箇所を検出する。このとき、試料に照射するレーザビームはOBICの応答しない波長範囲を選択する。これにより素子部等では特に温度上昇に伴う電流変化によって生じた欠陥のみが検出されることからOBIC像と区別する必要がなくなった。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の内部相互配線に電流を流した状態でレーザビームを照射し、内部相互配線に流れる電流の変化を検知することで、前記内部相互配線の欠陥を検出する装置において、チップに照射するレーザビームによって電子-正孔対が励起しないレーザビームの波長範囲を選択する手段を備えることを特徴とする半導体集積回路内部相互配線の検査装置。

IPC (3)：

G01R 31/302 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66