Pat

J-GLOBAL ID：200903052339355130

光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク

Inventor： 保坂 純男 ,  寺澤 恒男 ,  菊川 敦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994319781
Publication number (International publication number)：1996179493
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 光を用いて、光の回折による最小転写寸法の限界を超えた0.2μm以下のパターンを転写する技術を提供すること。【構成】 本発明は、遮光膜(原画パターン)のないマスク基板側にマスク基板と同じあるいは近い屈折率を持つプリズムを設置し、レーザ光をプリズムの1斜面から入射して原画パターン面で入射光を全反射させ、プリズムのもう1つの斜面から大気中に取りだすように構成した光照明系を持ち、さらに、このマスクの原画パターン側に試料の感光材(レジスト)を密着し、エバネッセント波のみ試料の感光材に伝搬させて、0.2μm以下の微小パターンを転写できるようにした。

Claim (excerpt)：

光を用いてマスク基板の表面の導電材料で構成されたマスク面に描かれている原画パターンを光反応する感光材料に焼き付ける方法において、少なくとも前記マスク基板の原画パターン側の内側境界部で照明光が全反射する角度で光を照射することを特徴とするパターン露光または転写方法。