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J-GLOBAL ID：200903052345302323

半導体装置の製造方法

Inventor： 渡嘉敷 健
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992316610
Publication number (International publication number)：1994151711
Application date： Oct. 30, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 表面が凹凸形状を有する多結晶Siで構成された蓄積電極を形成する。【構成】 Si基板1上に酸化膜2,多結晶Si層3を順に成長させ、光リソグラフィーによりマスク4を形成した後、ドライエッチングにより異方性形状の蓄積電極5を形成する。その後、ドライエッチングの堆積反応とエッチング反応を競合させることにより、異方的にエッチングされた蓄積電極の表面が半球状の凹凸形状を有する蓄積電極6に再加工することができる。

Claim (excerpt)：

電極形成工程とエッチング加工工程とを有する半導体装置の製造方法であって、電極形成工程は、半導体基板上に異方性形状の蓄積電極を形成するものであり、エッチング加工工程は、上記蓄積電極表面を半球状の凹凸形状にドライエッチング加工するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/10 325 M ,  H01L 27/10 325 C