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J-GLOBAL ID:200903052355973609

ウェットエッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000122639
Publication number (International publication number):2001303277
Application date: Apr. 24, 2000
Publication date: Oct. 31, 2001
Summary:
【要約】【課題】ディップ式のウェットエッチングにより金属膜をエッチングするとき、エッチングの反応過程上ガス(水素や二酸化窒素など)の生成を伴うと、ガスが発生した部分の被エッチング膜がエッチング液に接触しないためにエッチングが進行しなくなり、その部分のパターンが残ってしまい、配線間ショート不良などを引き起こすという問題があった。【解決手段】ディップ式のエッチングの途中でエッチングをスプレーノズル7を用いたシャワー式のエッチングに切り替え、シャワーの圧力によって被エッチング膜表面からガス5を除去する作業を行い、シャワーで基板1上のガス5を除去し、再びディップ式でエッチングを行うので、全ての被エッチング膜をエッチングすることが出来る。
Claim (excerpt):
金属膜をエッチング液に浸してエッチングするディップ式エッチング方法と前記金属膜をシャワー状の前記エッチング液に晒してエッチングするシャワー式エッチング方法とからなるウェットエッチング方法であって、前記ディップ式エッチング方法によるエッチングの途中に前記シャワー式エッチング方法によるエッチングを挿入することにより前記金属膜の不要部分を選択的にエッチング除去することを特徴とするウェットエッチング方法。
IPC (3):
C23F 1/00 ,  H01L 21/306 ,  H05K 3/06
FI (4):
C23F 1/00 Z ,  H05K 3/06 A ,  H05K 3/06 M ,  H01L 21/306 F
F-Term (28):
4K057WA10 ,  4K057WA20 ,  4K057WB05 ,  4K057WB08 ,  4K057WD06 ,  4K057WE02 ,  4K057WE04 ,  4K057WE12 ,  4K057WG10 ,  4K057WM03 ,  4K057WM06 ,  4K057WN01 ,  5E339BC01 ,  5E339BC03 ,  5E339BE13 ,  5E339BE17 ,  5F043AA22 ,  5F043AA24 ,  5F043AA26 ,  5F043BB15 ,  5F043DD13 ,  5F043DD23 ,  5F043DD30 ,  5F043EE01 ,  5F043EE06 ,  5F043EE07 ,  5F043GG02 ,  5F043GG04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開昭62-207886
  • 特開昭53-085744
  • 特開昭57-094573
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