プラズマ処理方法及び装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996183067
Publication number (International publication number)：1998027782
Application date： Jul. 12, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】高真空で大面積にわたり高密度プラズマを発生させることが可能で、耐久性と印加電力効率に優れた低価格のプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】高周波誘導結合用コイル6,17に高周波電力を印加することにより真空室3,18内にプラズマを発生させて基板8,20を処理するプラズマ処理装置及び方法で、複数の貫通窓30,40,63を形成した金属よりなる梁2,62又は枠体13を設けるとともに、上記複数の貫通窓を閉塞する抵抗加熱ヒータ4,15付きの第1誘電板1,14を配置して真空室を封止し、上記第1誘電板の上に第2誘電板5などの絶縁層を介して高周波誘導結合用コイル6,17を配置している。

Claim (excerpt)：

真空室(3)の一面が、金属製の梁(2,62)で支えられた誘電板(1)で封止され、上記誘電板上に沿って絶縁層(5,51)を介して配置されている高周波誘導結合用コイル(6)に高周波電圧を印加することにより、真空室内にプラズマを発生させて基板(8)を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-259860 Applicant：日本電気株式会社
プラズマ化学エッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222816 Applicant：三菱重工業株式会社
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-314225 Applicant：株式会社東芝

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