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J-GLOBAL ID:200903052369483370

高誘電体薄膜製造用ターゲット材およびその製造法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993077571
Publication number (International publication number):1994264230
Application date: Mar. 11, 1993
Publication date: Sep. 20, 1994
Summary:
【要約】【目的】 直流スパッタリング法により高誘電体薄膜を形成することのできるターゲット材およびその製造法を提供する。【構成】 (1) BaとSrの複合酸化物の周囲を酸化チタン(TiO<SB>2-z </SB>、但し、0≦z<2)が包囲している被覆粒子が金属Ti素地中に均一分散している組織を有する材料で構成されたターゲット材。(2) 上記(1)の材料素地中に、さらにTiO<SB>2 </SB>粉末が均一分散しているターゲット材。(3) (Ba<SB>x</SB>Sr<SB>1-x </SB>)O(但し、0<x<1)粉末を作製し、この(Ba<SB>x</SB>Sr<SB>1-x </SB>)O(但し、0<x<1)粉末に、Ti粉末またはTi粉末およびTiO<SB>2 </SB>粉末を混合しホットプレスするターゲット材の製造法。
Claim (excerpt):
BaとSrの複合酸化物の周囲を酸化チタン(TiO<SB>2-z </SB>、但し、0≦z<2)が包囲している被覆粒子が金属チタン素地中に均一分散している組織を有することを特徴とする高誘電体薄膜製造用ターゲット材。

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