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J-GLOBAL ID：200903052394284497

ダイヤモンド電子素子及びその製造方法

Inventor： 斉藤 公続 ,  宮田 浩一
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993014324
Publication number (International publication number)：1994232050
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 逆方向電流が小さく絶縁電圧が大きな良好な整流性を持ち、MIS構造のダイヤモンド整流素子として好適であると共に、ダイヤモンド電界効果トランジスタとして優れた特性を有するダイヤモンド電子素子及びその製造方法を提供する。【構成】 低抵抗p型Si基板4上に半導体ダイヤモンド層3が形成され、この半導体ダイヤモンド層3の上に高抵抗ダイヤモンド層2が形成され、この高抵抗ダイヤモンド層2上に電極1が形成されている。また、基板4の裏面にはオーミック電極5が形成されている。高抵抗ダイヤモンド層2は、原料ガス中の酸素原子濃度[O]と炭素原子濃度[C]との比を0.8≦[O]/[C]≦50として気相合成により形成されている。

Claim (excerpt)：

基板と、半導体ダイヤモンド層と、この半導体ダイヤモンド層の上に原料ガス中の酸素原子濃度[O]と炭素原子濃度[C]との比を0.8≦[O]/[C]≦50として気相合成により形成された高抵抗ダイヤモンド層と、この高抵抗ダイヤモンド層の上の電極と、を有することを特徴とするダイヤモンド電子素子。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/04 ,  H01L 29/48 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/91

FI (2)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/91 F