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J-GLOBAL ID：200903052397677813

半導体装置

Inventor：
林 真澄

About 林 真澄

, 
浪崎 博文

About 浪崎 博文


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 宮田 金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001072312
Publication number (International publication number)：2002270879
Application date： Mar. 14, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：
【要約】【課題】 反射防止膜の最適化を行って反射特性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 反射防止膜は、n型拡散層2上に形成された第1の窒化シリコン膜3aと、第1の窒化シリコン膜3a上に形成された第1の窒化シリコン膜3aの屈折率より小さい第2の窒化シリコン膜3bとからなるように構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の主面に反射防止膜が形成された半導体装置において、前記反射防止膜は、前記半導体基板上に形成された第1の窒化シリコン膜と、前記第1の窒化シリコン膜上に形成された前記第1の窒化シリコン膜の屈折率より小さい第2の窒化シリコン膜とからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 31/04 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/318 ,  H01L 31/10
FI (4)：
C23C 16/42 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 31/04 F ,  H01L 31/10 A
F-Term (36)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030BB13 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA16 ,  5F049NA02 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ04 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA16 ,  5F051CB05 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051GA02 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F051HA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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