Pat

J-GLOBAL ID：200903052399034987

窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法

Inventor： 柴田 真佐知
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997221628
Publication number (International publication number)：1999060394
Application date： Aug. 18, 1997
Publication date： Mar. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 GaN等のIII 族元素の窒化物結晶、特に、これまで得られていなかった大型のバルク結晶を容易に成長させることができるようにする。【解決手段】 本窒化物結晶の成長方法は、シリンダー7内に窒化物結晶粉末(原料6)と液体封止材5を収容し、ピストン3で加圧しながら加熱する工程を含む。GaN結晶の成長方法としては、フラックスとGaN結晶粉末とを加圧下で加熱し、GaNをフラックスに溶解させた後、これを冷却してGaNの結晶を成長させるものにおいて、フラックスの加熱温度を800°C以上とし、かつ、前記フラックスには少なくともGa、In、Pb、Sn、Bi、Naのいずれかーつ以上を含むようにする。

Claim (excerpt)：

シリンダー内に窒化物結晶粉末と液体封止材を収容し、ピストンで加圧しながら加熱する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  C30B 9/06

FI (2)：

C30B 29/38 D ,  C30B 9/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭53-106698
  
• 超高圧発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-066787   Applicant：住友重機械工業株式会社