多層半導体基板等における内部欠陥の検出方法及び装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東辰雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992092362
Publication number (International publication number)：1993264468
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】多層半導体基板等における内部欠陥の検出を、欠陥が存在する各層の位置や深さを特定して検出できるようにする。【構成】被検物体の表面および内部における光情報をそれぞれ比較的多く発生させる波長の第1および第2の光を被検物体に入射させ、各入射光毎に得られる光情報を比較して内部欠陥を検出する。あるいは、入射レーザビームの屈折光が所定の小さな横断面を有し、その屈折光によって生じる散乱像を、その屈折光の光軸と所定の角度を有して交差する光軸上において前記顕微鏡により得、得られた散乱像に含まれる欠陥像の深さ位置をその欠陥像の視野内位置に基いて特定する。あるいはまた、被検物体面の法線は観察光学系の光軸に対してある角度をなしており、観察光学系の焦点合せに際しては、顕微鏡の焦点面において所定のパターンを結像させ、被検物体面上のこのパターンの投影像に基き顕微鏡と被検物体間の距離を調整する。

Claim (excerpt)：

被検物体に所定の光を入射させ、それによって生じる被検物体からの光情報を観察光学系を介して得、得られた光情報に基いて被検物体の内部欠陥を検出する方法において、被検物体の表面における光情報を比較的多く発生させる波長の第1の入射光と、被検物体の内部における光情報を比較的多く発生させる波長の第2の入射光とを被検物体に入射させ、各入射光毎にそれによって発生する光情報を得、これら双方の光情報を比較して内部欠陥を検出することを特徴とする内部欠陥検出方法。

IPC (3)：

G01N 21/88 , G01N 21/84 , H01L 21/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (22)

特開平4-024541
特開平4-024541
特開平4-024541

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