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J-GLOBAL ID：200903052409370298

アナログ半導体メモリの冗長メモリ回路

Inventor：
杉尾 賢一郎

About 杉尾 賢一郎


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社

, 
株式会社 沖マイクロデザイン

About 株式会社 沖マイクロデザイン


Agent (1)： 前田 実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001066277
Publication number (International publication number)：2002269994
Application date： Mar. 09, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：
【要約】【課題】 冗長置換による再生信号の劣化を低減し、冗長置換能力を上げる。【解決手段】 それぞれ複数のメモリセルからなる複数のセクタ(SC)、および不良セクタを冗長置換するための冗長セクタ(RSC)を配置したセルアレイ(ACLA)と、上記セルアレイの第1の端に配置され、上記セルアレイのワードラインを選択するワードライン選択手段(WLDEC)とを備え、上記セクタを第1の端から第2の端にまたは第2の端から第1の端に順にアクセスするとともに、不良セクタのアクセス順のときに上記冗長セクタをアクセスし、アナログ値をそのままメモリセルに書き込むアナログ半導体メモリの冗長メモリ回路において、上記セルアレイの第1の端および第2の端にそれぞれ上記冗長セクタを配置し、不良セクタから近いほうの冗長セクタでこの不良セクタを冗長置換する。
Claim (excerpt)：
それぞれ複数のメモリセルからなる複数のセクタ、および不良セクタを冗長置換するための冗長セクタを配置したセルアレイと、上記セルアレイの第1の端に配置され、上記セルアレイのワードラインを選択するワードライン選択手段とを備え、上記セクタを第1の端から第2の端にまたは第2の端から第1の端に順にアクセスするとともに、不良セクタのアクセス順のときに上記冗長セクタをアクセスし、アナログ値をそのままメモリセルに書き込むアナログ半導体メモリの冗長メモリ回路において、上記セルアレイの第1の端および第2の端にそれぞれ上記冗長セクタを配置し、不良セクタから近いほうの冗長セクタでこの不良セクタを冗長置換することを特徴とするアナログ半導体メモリの冗長メモリ回路。
IPC (6)：
G11C 29/00 603 ,  G06F 12/16 310 ,  G10L 19/00 ,  G11C 16/06 ,  G11C 16/02 ,  G11C 27/00 101
FI (6)：
G11C 29/00 603 X ,  G06F 12/16 310 P ,  G11C 27/00 101 A ,  G10L 9/18 J ,  G11C 17/00 639 Z ,  G11C 17/00 641
F-Term (16)：
5B018GA06 ,  5B018KA16 ,  5B018MA06 ,  5B018NA10 ,  5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD13 ,  5B025AE08 ,  5D045DB01 ,  5L106AA10 ,  5L106CC01 ,  5L106CC17 ,  5L106GG06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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