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J-GLOBAL ID：200903052420768147

半導体端面発光素子

Inventor： 中沢 伯人
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992108557
Publication number (International publication number)：1993283737
Application date： Apr. 01, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体端面発光素子において、内部レーザ共振を防ぎ、高い出力とスペクトル変調の小さい出力光を得て安定に動作せしめる。【構成】出射端面の反対側の第2の端面の形状を凹面形状や、くさび形切り込み形状や、斜面部を設けることで、素子内部の逆進光31をそこで分散し、主に活性ストライプ部29への全反射光を減少せしめてレーザ共振を防ぐ。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された活性層と、前記活性層を含むダブルヘテロ構造を備え、活性層の活性ストライプ部から発光し、その端面から光が出射する出射端面と、前記出射端面の反対側の第2の端面とを有する端面発光型ダイオード構造の半導体端面発光素子において、前記第2の端面の前記活性層に対応する部分の少なくとも一部の形状を前記出射端面と非平行としたことを特徴とする半導体端面発光素子。