Pat
J-GLOBAL ID:200903052424315546
半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003144478
Publication number (International publication number):2004349449
Application date: May. 22, 2003
Publication date: Dec. 09, 2004
Summary:
【課題】SiC基板上に堆積したSiを熱酸化する際に、SiC基板にまで酸化が及ぶのを防ぐ。【解決手段】シリコン膜2が形成されたシリコンカーバイド基板1を乾燥酸素ガス雰囲気中で900度を上限とする温度に曝し、シリコン膜2を熱酸化する。これによりシリコン膜2が酸化膜に変換され、酸化膜3が形成される。その後ゲート電極4を形成しMOS型半導体装置が形成される。本発明により良好な特性を示す、MOS構造を有するシリコンカーバイド半導体装置の製造が可能となる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
シリコンカーバイド表面にシリコン膜を堆積し、前記シリコン膜を900度以下で酸化する工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2):
FI (3):
H01L21/316 C
, H01L29/78 301B
, H01L29/78 301G
F-Term (16):
5F058BA20
, 5F058BB10
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BC11
, 5F058BF55
, 5F058BF61
, 5F058BF62
, 5F058BF63
, 5F058BJ01
, 5F140AA01
, 5F140AC31
, 5F140BA02
, 5F140BD06
, 5F140BE05
, 5F140BE07
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