光起電力素子の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998343700
Publication number (International publication number)：1999233802
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】大面積にわたる光起電力素子のピンホール等の欠陥部の存在に起因する漏れ電流を減少させ、低照度における起電圧特性に優れた光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板201上に少なくとも第一の電極層202、半導体層203、第二の電極層204が形成された光起電力素子200を電解液207中に浸漬し、電界の作用で該光起電力素子の欠陥205による短絡電流通路を除去する工程を有する光起電力素子の製造方法において、前記電解液中の第一の成分の量と第二の成分の量を調整して電解液207の水素イオン濃度を調整し、第一の成分により第二の電極層204の構成物質を電気的に溶解する光起電力素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも第一の電極層、半導体層、第二の電極層が形成された光起電力素子を電解液中に浸漬し、電界の作用で該光起電力素子の欠陥による短絡電流通路を除去する工程を有する光起電力素子の製造方法において、前記電解液中の第一の成分の量と第二の成分の量を調整して該電解液の水素イオン濃度を調整し、該第一の成分により前記第二の電極層の構成物質を電気的に溶解することを特徴とする光起電力素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-226085
薄膜太陽電池の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-250710 Applicant：キヤノン株式会社
光起電力素子の製造方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-293313 Applicant：キヤノン株式会社

Show all

Return to Previous Page