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J-GLOBAL ID：200903052454569844

化学気相成長法および化学気相成長装置

Inventor： 池田 康郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992320974
Publication number (International publication number)：1994158329
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 緩やかに反応する2種類の反応ガスをあらかじめ混合し、急速に反応する反応ガスを基板表面近傍で混合することにより、ガス配管やガスノズル内に固形物が堆積すること無く、良好な品質の膜を形成する手段を提供する。【構成】オゾンガス発生器10で発生させた0.5%のオゾンガスと、恒温容器11内に充填したTEOSを窒素バブリング法で生成したTEOSガスとをガス混合器15で混合し、ガスノズル21まで導く。オゾン発生器9で発生させた5%のオゾンガスは、他のガスとは別にガスノズル21へ導かれ、基板23の表面近傍で混合される。基板23状には、良好な膜質でフロー形状を有する酸化ケイ素膜が得られ、しかも、保温配管17やガスノズル21の内部への白粉の堆積は無く、パーティクルが増加するようなことも無い。

Claim (excerpt)：

第1の原料ガスと第2の原料ガスとの混合ガスをガス混合器にて生成し、該混合ガスと第3の原料ガスとを被処理物表面近傍で混合し、膜形成を行うことを特徴とする化学気相成長法。

IPC (5)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/40 ,  C30B 25/12 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/31