Pat

J-GLOBAL ID：200903052458502353

YSZとPtとからなる積層体及びその製造方法

Inventor： 星 英夫
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 川北 喜十郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999079957
Publication number (International publication number)：2000277818
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Si(100)基板上に、YSZ膜及びPt膜をそれぞれ(100)に配向させて形成された積層体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Si(100)基板をサーマルエッチングすることによって、Si基板表面を粗くする。具体的には、Si基板上にYSZ膜を真空蒸着法で成膜させたときに、YSZ膜の表面粗さRrmsが2.5nm〜25nmになるようにSi基板を粗くする。この表面粗さをYSZ膜上に形成すれば(100)に配向したPt膜を容易に成膜することができる。Pt膜上にPZT焦電体薄膜を(100)に配向させて成膜することにより高感度な赤外線センサーを提供することができる。

Claim (excerpt)：

Si基板上に、イットリア安定化ジルコニア層を介してPt膜が形成された積層体において、上記Si基板、イットリア安定化ジルコニア層及びPt膜がそれぞれ(100)に配向していることを特徴とする積層体。

IPC (3)：

H01L 37/02 ,  G01J 1/02 ,  H01L 29/43

FI (3)：

H01L 37/02 ,  G01J 1/02 Y ,  H01L 29/46 R

F-Term (13)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA13 ,  2G065BA14 ,  2G065DA20 ,  4M104AA01 ,  4M104BB06 ,  4M104DD24 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104EE02 ,  4M104EE16 ,  4M104GG20