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J-GLOBAL ID:200903052470960464
金属酸化物絶縁膜の膜厚および/または膜質評価装置
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤本 英夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003080784
Publication number (International publication number):2004288980
Application date: Mar. 24, 2003
Publication date: Oct. 14, 2004
Summary:
【課題】金属酸化物絶縁膜の膜厚や膜質を評価して膜質劣化の程度や高誘電率の大きさ等を確認できる金属酸化物絶縁膜の膜厚および/または膜質評価装置を提供すること。【解決手段】半導体基板13上に形成された金属酸化物絶縁膜表面11aへのグロー放電によるスパッタリングにより金属酸化物絶縁膜11の深さ方向の成分分析を行なうグロー放電分析手段1を用いて金属酸化物絶縁膜11の膜厚dを評価する装置39であって、金属酸化物絶縁膜11の膜厚dを計測する手段40と、計測された膜厚dが予め設定されている所定の閾値S又は範囲を越えたかどうかを判定する手段41とを有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体基板上に形成された金属酸化物絶縁膜表面へのグロー放電によるスパッタリングにより金属酸化物絶縁膜の深さ方向の成分分析を行なうグロー放電分析手段を用いて金属酸化物絶縁膜の膜厚を評価する装置であって、金属酸化物絶縁膜の膜厚を計測する手段と、計測された膜厚が予め設定されている所定の閾値又は範囲を越えたかどうかを判定する手段とを有することを特徴とする金属酸化物絶縁膜の膜厚評価装置。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (9):
4M106AA20
, 4M106BA03
, 4M106BA20
, 4M106CA48
, 4M106CB02
, 4M106CB30
, 4M106DH03
, 4M106DJ11
, 4M106DJ21
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開昭56-101742
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グロー放電発光分光分析方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-091488
Applicant:理学電機工業株式会社
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グロー放電発光分光分析における補正方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-133284
Applicant:株式会社島津製作所
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