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J-GLOBAL ID：200903052483234789

不揮発性半導体メモリに対する書き込みアクセス・リフレッシュ制御方法、並びに半導体ファイル記憶装置

Inventor： 遠藤 滋 ,  三浦 雄二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋本 正実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997192789
Publication number (International publication number)：1999039221
Application date： Jul. 17, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電源断によるデータ消失を防止しつつ、元の物理アドレスとは異なる物理アドレスに対しデータの書き込み・書き直しを行うこと。【解決手段】 フラッシュメモリ12への書き込みの際には、書き込み用予備領域のポインタ11、テーブル13およびバッファメモリ10により、また、データの書き直し(リフレッシュ)の際には、メモリ10、リフレッシュ用第1、第2ポインタ15,16により、それぞれ元の物理アドレスとは異なる物理アドレスに対しデータの書き込み、書き直しが行われた上、アドレス変換テーブル9上では、論理アドレスに対する物理アドレスが更新割り付けされているものである。

Claim (excerpt)：

ランダムにデータの書き込み・読み出しアクセスが可能とされ、かつ電源断時でもデータ記憶内容が保持可とされた不揮発性半導体メモリに対する書き込みアクセス・リフレッシュ制御方法であって、不揮発性半導体メモリ上に物理アドレスとしてのデータ書き込み・読み出し用アドレス以外に、書き込み用予備アドレス、リフレッシュ用予備アドレス各々が1以上、初期設定されている状態で、不揮発性半導体メモリに対し物理アドレスを伴い書き込みアクセス要求がある度に、何れか1つ所定に選択された書き込み用予備アドレス上には、揮発性バッファメモリ上に一時記憶されている書き込みデータが書き込みされた上、上記書き込みデータが本来書き込まれるべき物理アドレスは上記選択された書き込み用予備アドレスに代る書き込み用予備アドレスとして更新設定される一方、定期的、あるいは随時発生されるリフレッシュ起動トリガにもとづき、不揮発性半導体メモリ上にリフレッシュ対象として更新設定されている1以上の物理アドレス各々に対し順次連続的にリフレッシュ処理が行われるに際しては、該物理アドレス各々でのデータは上記揮発性バッファメモリ上に一時退避記憶された後、何れか1つ所定に選択されたリフレッシュ用予備アドレス上には、上記揮発性バッファメモリからのデータが書き込みデータとして書き込みされた上、上記更新後の物理アドレスは上記選択されたリフレッシュ用予備アドレスに代るリフレッシュ用予備アドレスとして更新設定されるようにした不揮発性半導体メモリに対する書き込みアクセス・リフレッシュ制御方法。

IPC (3)：

G06F 12/16 310 ,  G06F 12/16 ,  G11C 16/02

FI (4)：

G06F 12/16 310 A ,  G06F 12/16 310 M ,  G11C 17/00 601 P ,  G11C 17/00 601 T