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J-GLOBAL ID：200903052486979777

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 長濱 慎一 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222920
Publication number (International publication number)：1996088441
Application date： Sep. 19, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いたレーザ素子の新規な構造と、その製造方法を提供することにより、紫外、青色レーザ素子を実現する。【構成】 活性層5がn型クラッド層4とp型クラッド層6とで挟まれた構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレーザ素子において、前記活性層5よりp型クラッド層6側に、n型またはi型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる電流狭窄層7を備える。

Claim (excerpt)：

活性層がn型クラッド層とp型クラッド層とで挟まれた構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレーザ素子において、前記活性層よりp型クラッド層側に、n型またはi型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる電流狭窄層を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 面発光半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-215233   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-055962   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-179198   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-094684
  
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開平2-007589
  
• 特開昭60-003176
  
• 特開平2-288388
  
• 化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-042964   Applicant：株式会社東芝