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J-GLOBAL ID:200903052487209673

半導体装置の実装構造及びその実装方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 守 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998013835
Publication number (International publication number):1999214447
Application date: Jan. 27, 1998
Publication date: Aug. 06, 1999
Summary:
【要約】【課題】 半田バンプが集中する熱応力を緩和して、半田バンプの熱疲労破壊を防止することができる半導体装置の実装構造及びその実装方法を提供する。【解決手段】 半田バンプを有する半導体装置の実装構造において、実装基板13と、この実装基板13の電極上に実装される一様にボイド14を有する半田バンプ15を有する半導体装置11を具備する。
Claim (excerpt):
半田バンプを有する半導体装置の実装構造において、(a)実装基板と、(b)該実装基板の電極上に実装される一様にボイドを有する半田バンプを有する半導体装置を具備する半導体装置の実装構造。
IPC (3):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (4):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 R ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 23/12 L

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