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J-GLOBAL ID：200903052495668822

非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法

Inventor： 森田 章二 ,  村田 正義 ,  竹内 良昭 ,  西宮 立淳 ,  高野 暁己 ,  大嶋 一晃 ,  青井 辰史 ,  堀岡 竜治
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998339702
Publication number (International publication number)：2000164908
Application date： Nov. 30, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】短絡電流や開放電圧を増大しえることを課題とする。【解決手段】透明基板11と、この透明基板11上に形成された透明電極12と、この透明電極12上に形成されたp層13と、このp層13上に形成され、低欠陥密度のi層初期膜15,i層バルク膜16及び低欠陥で表面被覆性に優れたi層後期膜17からなるi層と、このi層上に形成されたn層19と、このn層19上に形成された金属電極20とを具備することを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。

Claim (excerpt)：

透明基板と、この透明基板上に形成された透明電極と、この透明電極上に形成されたp層と、このp層上に形成され、低欠陥密度のi層初期膜及びi層バルク膜を有したi層と、このi層上に形成されたn層と、このn層上に形成された金属電極とを具備することを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。

FI (2)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 V

F-Term (7)：

5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA03 ,  5F051CA15 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-192373
  
• 特開昭60-192374
  
• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-325715   Applicant：三洋電機株式会社