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J-GLOBAL ID：200903052504344989

磁気センサ

Inventor： 遠藤 みち子 ,  清水 信▲吉▼ ,  丹治 成生
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992010008
Publication number (International publication number)：1993264701
Application date： Jan. 23, 1992
Publication date： Oct. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は磁気センサに関し、磁気抵抗素子部と出力処理回路部と磁界発生部とを同一チップ上に形成して小型化すると共に製造容易な磁気センサを実現することを目的とする。【構成】 硬質磁性膜層よりなるバイアス磁界発生部2と強磁性薄膜磁気抵抗素子6と、該磁気抵抗素子6の出力を処理する回路部3とが同一チップ上に形成されて成るように構成する。

Claim (excerpt)：

硬質磁性膜層よりなるバイアス磁界発生部(2)と、強磁性薄膜磁気抵抗素子(6)と、該磁気抵抗素子(6)の出力を処理する回路部(3)とが同一チップ(1)上に形成されていることを特徴とする磁気センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特公昭61-014769
  
• 特開昭64-051177