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J-GLOBAL ID：200903052515429587

MOSトランジスタおよびその製造方法

Inventor： 堀江 博
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991291109
Publication number (International publication number)：1993152332
Application date： Nov. 07, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、MOSトランジスタと製造方法に関し、保護用絶縁膜を平坦化してその上に安定に配線層を形成できるようにし、あるいは、駆動能力を高くし、しきい値や短チャネル効果を調節できるようにすることを目的とする。【構成】 一導電型の薄い半導体基板1と、この半導体基板1の一つの面の素子形成領域の一部に形成されたゲート絶縁膜3とゲート電極4と、このゲート電極4の両側に形成された逆導電型のソース領域5とドレイン領域6と、この半導体基板1の他の面の上に形成された平坦な絶縁膜10と、この絶縁膜10のコンタクトホールを通して形成されたソース電極11とドレイン電極12とを有し、平坦な絶縁膜10の上に必要に応じて他の配線層を形成するように構成した。また、この構造において、絶縁膜10が形成された側に第2のゲート電極を形成することもできる。

Claim (excerpt)：

一導電型の薄い半導体基板と、該半導体基板の一つの面の素子形成領域の一部に形成されたゲート絶縁膜とゲート電極と、該ゲート絶縁膜とゲート電極の両側に形成された逆導電型のソース領域とドレイン領域と、該半導体基板の他の面の上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜のコンタクトホールを通して該ソース領域とドレイン領域に接続するように形成されたソース電極とドレイン電極とを有することを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-090859
  
• 特開平1-184957
  
• 特開昭63-308386