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J-GLOBAL ID：200903052542591230

ダイヤモンド合成方法及びその装置

Inventor： 英 貢 ,  大越 昌幸 ,  三木 秀二郎 ,  松原 健夫
Applicant, Patent owner： 学校法人立命館
Agent (1)： 渡辺 三彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997041165
Publication number (International publication number)：1998236898
Application date： Feb. 25, 1997
Publication date： Sep. 08, 1998
Summary：

【要約】【目的】 再現性がよく、基板温度を高温に保持する必要がなく、ダイヤモンドの核発生の密度が高く、厚膜が形成され、良質のダイヤモンドを得ることができるダイヤモンドの合成方法を得ること。【構成】 少なくとも炭素と水素の原子を含む気体状あるいは液体状の流体物質を凝固させてなる凝固ターゲット物質に、シンクロトロン放射光を照射してアブレーションを発生させて、基板上にダイヤモンドを生成させることを特徴とするダイヤモンド合成方法とこれを具現化した装置。

Claim (excerpt)：

少なくとも炭素と水素の原子を含む気体状あるいは液体状の流体物質を凝固させてなる凝固ターゲット物質に、シンクロトロン放射光を照射してアブレーションを発生させて、基板上にダイヤモンドを生成させることを特徴とするダイヤモンド合成方法。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  C23C 14/28 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B 29/04 K ,  C23C 14/28 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/205