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J-GLOBAL ID：200903052543371454
プラズマCVD装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991253776
Publication number (International publication number)：1993093277
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高周波電極に接地電極を対向させたプラズマCVD装置において、成膜へのパーティクル付着や混入を従来より防止し、また、高速成膜を行う。【構成】 高周波電極2と接地電極を兼ねる基体ホルダ3を対向させたプラズマCVD装置において、高周波電極2と基体ホルダ3との間にメッシュ状の中間電極10を配置し、該中間電極に電源10aにて接地に対して正電圧を印加できるようにし、高周波電極2はマグネトロンタイプとしたプラズマCVD装置。
Claim (excerpt)：
高周波電極と接地電極を対向させたプラズマCVD装置において、前記高周波電極と接地電極との間にメッシュ状の中間電極を配置し、該中間電極に接地に対して正電圧を印加できるように構成したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
