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J-GLOBAL ID：200903052551800801

半導体装置

Inventor： 武田 実
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 尾川 秀昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991170583
Publication number (International publication number)：1993082637
Application date： Feb. 13, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 分離がトレンチアイソレーションのみにより行われる領域と、分離が選択酸化によってのみ行われる領域とを備えた半導体装置において、その二つの領域間の形状の制御性を高め、領域間分離領域の分離能力を高くする。【構成】 半導体基板の上記両領域間に数μmの間隔を設けて領域間分離領域となす。

Claim (excerpt)：

素子間分離がトレンチアイソレーションのみにより行われる領域と、素子間分離が選択酸化によってのみ行われる領域とを備えた半導体装置において、上記両領域が形成された半導体基板の該両領域間に間隔を設けて領域間分離領域としてなることを特徴とする半導体装置

IPC (3)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/06

FI (2)：

H01L 21/94 A ,  H01L 27/06 102 D