Pat

J-GLOBAL ID：200903052555544117

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 西田 亮一 ,  川崎 真一 ,  藤木 剛 ,  山田 良行 ,  川田 浩二 ,  周 徳元 ,  土岐 元幸 ,  大中 忠生
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992344021
Publication number (International publication number)：1993275695
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】明るい大画面のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開発を可能とするTFTおよびその製造方法を提供することを主な目的とする。【構成】1. 基板21上に形成された半導体からなる能動層、ゲート絶縁膜25、ゲート電極23、ソース電極29およびドレイン電極31を有する薄膜トランジスタにおいて、能動層をポリシラン薄膜27により形成したことを特徴とする薄膜トランジスタおよびその製造方法。2. 能動層を構成するポリシラン薄膜が、ソース電極からドレイン電極への方向に平行方向に配向しているポリシラン配向薄膜からなる上記項1に記載の薄膜トランジスターおよびその製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された半導体からなる能動層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタにおいて、能動層をポリシラン薄膜により形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/28 ,  C08G 77/60 NUM