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J-GLOBAL ID：200903052561322274

スパツタリング方法および装置

Inventor： 西島 光 ,  木賀 敏雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991198825
Publication number (International publication number)：1993021349
Application date： Jul. 12, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コンタクトホールにおける底部等の狭小な部位への被着性を向上させることができるスパッタリング技術を提供する。【構成】 アルゴンガス18をターゲット23から被処理物としてのウエハ1に向けて高速で噴出させる。【効果】 イオン30の衝突によりターゲット23からランダムに飛び出したスパッタ粒子29をガス流によってウエハ1の方向へ向かわせることができるため、ウエハ1に到達するスパッタ粒子29がウエハ1のコンタクトホール2の底部まで到達する確率を増加することができ、その結果、コンタクトホール2等に対するアルミニウム被膜3のステップカバレージを高めることができる。

Claim (excerpt)：

一方の電極に被処理物が接続されるとともに、他方の電極にターゲットが接続され、低圧力気体の電気的絶縁破壊によって生ずる放電現象が利用されて、ターゲットからスパッタリングされたスパッタ粒子が被処理物に被着されるスパッタリング方法において、前記処理ガスが前記ターゲット側から前記被処理物に向けられて高速で噴出され、このガス流によって前記スパッタ粒子に指向性が付与されることを特徴とするスパッタリング方法。

IPC (5)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/34 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31