Pat

J-GLOBAL ID：200903052563090117

薄膜形成装置

Inventor： 水野谷 博英 ,  松尾 祐三 ,  山本 準
Applicant, Patent owner： 花王株式会社
Agent (1)： 宇高 克己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996208032
Publication number (International publication number)：1998053868
Application date： Aug. 07, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 支持体の幅方向に沿って均一な特性の薄膜が得られる薄膜形成装置を提供することである。【解決手段】 真空槽内で材料Mを蒸発させ、蒸発した粒子を走行する支持体に蒸着させることにより、前記支持体の表面に薄膜を形成する装置であって、材料Mが収納される容器と、この容器内の材料Mを蒸発させる蒸発手段と、前記支持体と前記容器との間に設けられ、蒸着薄膜向けて酸化性ガスを供給するガス供給手段とを具備し、前記支持体の幅方向に沿って成膜された薄膜の酸化度が均一なものとなるよう前記ガス供給手段が構成されてなる薄膜形成装置。

Claim (excerpt)：

真空槽内で材料Mを蒸発させ、蒸発した粒子を走行する支持体に蒸着させることにより、前記支持体の表面に薄膜を形成する装置であって、材料Mが収納される容器と、この容器内の材料Mを蒸発させる蒸発手段と、前記支持体と前記容器との間に設けられ、蒸着薄膜向けて酸化性ガスを供給するガス供給手段とを具備し、前記支持体の幅方向に沿って成膜された薄膜の酸化度が均一なものとなるよう前記ガス供給手段が構成されてなることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3)：

C23C 14/56 ,  G11B 5/85 ,  H01F 41/20

FI (3)：

C23C 14/56 A ,  G11B 5/85 A ,  H01F 41/20