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J-GLOBAL ID：200903052565244391

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 渡辺 修治 ,  大工 博 ,  山田 競 ,  成田 正彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244705
Publication number (International publication number)：1994097173
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光検知素子と信号処理素子を金属バンプで接合したハイブリッド型半導体装置に関し、該装置を温度変動の雰囲気に曝した場合に金属バンプが変形して接触するのを防止することを目的とする。【構成】 化合物半導体基板1に形成した光検知素子2と半導体基板(3) に形成した信号処理素子の入力ダイオード4とを金属バンプ5で接合して成る半導体装置に於いて、前記金属バンプ5の周囲を、柱状、或いは板状の低膨張率の高分子樹脂膜11にて円形、或いは方形の状態に囲んで構成する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板(1) に形成した光検知素子(2) と半導体基板(3) に形成した信号処理素子(4) とを金属バンプ(5) で接合して成る半導体装置に於いて、前記金属バンプ(5) の周囲を、柱状、或いは板状の低膨張率の高分子樹脂膜(11)にて円形、或いは方形の状態に囲んだことを特徴とする半導体装置。