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J-GLOBAL ID：200903052573688568
半導体加速度センサ及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347250
Publication number (International publication number)：1994196722
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 リーク電流、出力の経時変化を抑制し得るようにした新規なトランジスタ型半導体加速度センサ及びその製造方法を提供することにある。【構成】 P型シリコン基板1上にゲート酸化膜が配置され、ゲート酸化膜上に下部ゲート電極44が配置されている。又、P型シリコン基板1における下部ゲート電極44の両側に不純物拡散層よりなる固定電極8,9が下部ゲート電極44に対し自己整合的に形成されている。又、P型シリコン基板1の上方に梁構造の可動上部ゲート電極4が下部ゲート電極44と所定の間隔を隔てて配置されている。そして、加速度の作用に伴う可動上部ゲート電極4の変位によって生じる固定電極8,9間の電流の変化で加速度が検出される。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板上に配置されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上に配置された下部ゲート電極と、前記半導体基板における前記下部ゲート電極の両側に下部ゲート電極に対し自己整合的に形成された不純物拡散層よりなる固定電極と、前記半導体基板の上方に前記下部ゲート電極と所定の間隔を隔てて配置された梁構造の可動上部ゲート電極とを備え、加速度の作用に伴う前記可動上部ゲート電極の変位によって生じる前記固定電極間の電流の変化で加速度を検出するようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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